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机译:基于GaN的量子阱LED中距离工程表面等离子体耦合光致发光的效率下降抑制
Yufeng Li; Shuai Wang; Xilin Su; Weihan Tang; Qiang Li; Maofeng Guo; Ye Zhang; Minyan Zhang; Feng Yun; Xun Hou;
机译:GaN基量子阱LED中远程工程表面等离子体耦合光致发光的效率下垂抑制
机译:高current注入时by多量子阱结构抑制GaN基发光二极管的效率下降
机译:研究表面等离激元与量子阱耦合以降低GaN基发光二极管的效率下降
机译:局域表面等离激元可控地增强高效量子点的光致发光
机译:氮化铟镓/氮化镓多量子阱LED的工程效率下降
机译:有效抑制GaN基发光二极管的效率下降:显着降低载流子密度和内置场的作用
机译:使用具有孔加速能力的组成阶梯级孔存储层,以降低GaN基LED中的下垂效率
机译:通过执行同时形成表面光栅的工艺和用于形成N型半导体接触电极的蚀刻工艺来获得高量子效率的GaN基半导体发光器件
机译:基于TRPL时间分辨光致发光分析的LED内部量子壁效率测量方法和装置
机译:基于时间分辨光致发光分析的LED内部量子壁效率测量方法及装置
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